'초격차' 반도체 강국 한발 앞으로..핵심기술 개발 잇따라(종합)

아시아경제   2022. 06. 02. 12:06

차세대 고집적 반도체 기술 등 국제적 주목 받는 연구 결과 줄이어

삼성전자와 대만 TSMC 간 고집적 반도체 기술 경쟁이 치열한 가운데, 국내에서 ‘초격차’ 반도체 강국 실현을 앞당길 수 있는 차세대 기술이 개발됐다.

2일 신현석 울산과학기술원(UNIST) 교수 연구팀은 ‘무어의 법칙’을 깰 수 있는 차세대 고집적 반도체 개발을 위한 핵심 기술을 고안해 유력 국제학술지 ‘네이처’에 게재했다. 무어의 법칙은 반도체 집적회로(IC칩)에 집적하는 트랜지스터(미세소자)의 밀도가 2년마다 2배로 증가한다는 의미로 인텔의 고든 무어가 정립했다.

연구팀은 세계 최초로 육방정계 질화붕소(hBN) 단결정을 여러 층으로 합성할 수 있는 기술을 개발해 이 같은 한계를 극복했다. 육방정계 질화붕소는 차세대 고집적 반도체에서 발생할 수 있는 전하 트랩, 전하 산란 같은 기능 저하를 막을 수 있는 유일한 2차원 절연체 소재로 알려져 있다. 그러나 반도체 소자에 쓸 수 있을 만큼 적절한 두께를 갖는 단결정 형태로 합성하는 기술 개발이 난제였다. 연구팀은 합성에 필요한 재료의 농도를 조절하는 새로운 합성 방식을 통해 세계 최초로 두께 조절이 가능한 육방정계 질화붕소 단결정을 합성했다.
 

https://news.v.daum.net/v/20220602120653779
'초격차' 반도체 강국 한발 앞으로..핵심기술 개발 잇따라(종합)

'초격차' 반도체 강국 한발 앞으로..핵심기술 개발 잇따라(종합)