중앙일보 2022. 07. 28. 00:01
지난 25일 삼성전자 화성캠퍼스 내 극자외선(EUV) 전용 파운드리(반도체 위탁생산) 시설인 ‘V1 라인’. 게이트 올 어라운드(GAA) 기반의 최첨단 공정을 적용한 3㎚(나노미터·10억 분의 1m) 파운드리 제품 출하 기념식이 열렸다.
GAA 기반 3나노 제품 양산은 삼성전자가 세계 최초다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 방식보다 전력 효율과 성능을 획기적으로 높인 기술로, 파운드리 세계 1위인 대만 TSMC를 따라잡기 위한 ‘비장의 무기’다. 지난 1분기 기준 TSMC의 파운드리 시장 점유율은 53.6%다. 삼성전자는 16.3%에 머문다.
https://news.v.daum.net/v/20220728000157714
[View & Review] TSMC, 한국에 GAA 특허 집중 출원..공장도 없는데 왜?
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지난 25일 삼성전자 화성캠퍼스 내 극자외선(EUV) 전용 파운드리(반도체 위탁생산) 시설인 ‘V1 라인’. 게이트 올 어라운드(GAA) 기반의 최첨단 공정을 적용한 3㎚(나노미터·10억 분의 1m) 파운드리
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